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報告承辦單位: 物理與電子科學(xué)學(xué)院
報告內(nèi)容: Compact Modeling of Junction Failure in Semiconductor Devices Subject to Electrostatic Discharge Stresses
報告人姓名: 劉俊杰
報告人所在單位: 鄭州大學(xué)
報告人職稱/職務(wù)及學(xué)術(shù)頭銜: 教授，博士生導(dǎo)師
報告時間: 2019年12月17日上午10:00
報告地點(diǎn): 云塘理科樓B413
報告人簡介:
劉俊杰教授于1987年獲得美國佛羅里達(dá)大學(xué)電子工程專業(yè)博士學(xué)位。IEEE Fellow，美國佛羅里達(dá)大學(xué)終身教授，鄭州大學(xué)教授。長期致力于半導(dǎo)體器件和集成電路靜電保護(hù)的研究，是國際上半導(dǎo)體器件和集成電路ESD領(lǐng)域的權(quán)威之一。曾擔(dān)任IEEE電子器件協(xié)會副主席，獲得IEEE杰出教育獎。近十年來，從美國國家自然科學(xué)基金和世界知名半導(dǎo)體企業(yè)獲得超過1000萬美元的科研經(jīng)費(fèi)，發(fā)表論文500多篇，授權(quán)美國專利12項。