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報(bào)告題目：碳化硅MOSFET動(dòng)態(tài)閾值漂移

主要內(nèi)容：碳化硅（SiC）MOSFET作為新一代功率半導(dǎo)體器件的核心代表，得益于其在高壓、高溫、高頻等方面的突出優(yōu)勢(shì)，在電動(dòng)汽車、光伏系統(tǒng)和新型電源等領(lǐng)域逐漸得到廣泛的應(yīng)用。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，碳化硅MOSFET表現(xiàn)出嚴(yán)重的長期可靠性問題。報(bào)告主要針對(duì)碳化硅MOSFET在實(shí)際應(yīng)用中的動(dòng)態(tài)閾值漂移問題，介紹動(dòng)態(tài)閾值漂移規(guī)律、物理機(jī)理以及解決方法。

報(bào)告人：湯磊

報(bào)告人所在單位：電氣與信息工程學(xué)院

報(bào)告人職稱/職務(wù)及學(xué)術(shù)頭銜：工學(xué)博士

時(shí)間：5月16日星期五8:55-9:40

地點(diǎn)：云工一B212

報(bào)告人簡(jiǎn)介：湯磊，男，工學(xué)博士，畢業(yè)于重慶大學(xué)輸變電裝備技術(shù)全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，電氣工程專業(yè)。主要從事第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件可靠性與應(yīng)用等方向研究，參與國家重點(diǎn)研發(fā)項(xiàng)目1項(xiàng)，擔(dān)任IEEE Transactions on Power Electronics期刊審稿人，發(fā)表高水平論文20余篇，授權(quán)發(fā)明專利4項(xiàng)。

承辦單位：電氣與信息工程學(xué)院 通識(shí)教育中心