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報告題目：碳化硅MOSFET動態(tài)閾值漂移

主要內(nèi)容：碳化硅（SiC）MOSFET作為新一代功率半導體器件的核心代表，得益于其在高壓、高溫、高頻等方面的突出優(yōu)勢，在電動汽車、光伏系統(tǒng)和新型電源等領域逐漸得到廣泛的應用。然而，在實際應用中，碳化硅MOSFET表現(xiàn)出嚴重的長期可靠性問題。報告主要針對碳化硅MOSFET在實際應用中的動態(tài)閾值漂移問題，介紹動態(tài)閾值漂移規(guī)律、物理機理以及解決方法。

報告人：湯磊

報告人所在單位：電氣與信息工程學院

報告人職稱/職務及學術頭銜：工學博士

時間：5月16日星期五8:55-9:40

地點：云工一B212

報告人簡介：湯磊，男，工學博士，畢業(yè)于重慶大學輸變電裝備技術全國重點實驗室，電氣工程專業(yè)。主要從事第三代寬禁帶半導體碳化硅功率器件可靠性與應用等方向研究，參與國家重點研發(fā)項目1項，擔任IEEE Transactions on Power Electronics期刊審稿人，發(fā)表高水平論文20余篇，授權發(fā)明專利4項。

承辦單位：電氣與信息工程學院 通識教育中心