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◆個人簡介

湯磊，1996年出生,男，博士。2019年6月畢業于長沙理工大學電氣工程及其自動化專業卓越班，獲學士學位；2024年12月碩博連讀畢業于重慶大學，獲電氣工程博士學位。2025年1月入職長沙理工大學電氣與信息工程學院。

◆主講課程

暫無

◆研究方向

1.碳化硅功率半導體器件可靠性；2.碳化硅MOSFET在電力電子中的應用

◆論文專著

在IEEE Trans. Power Electronics、IEEE Electron Device Letter、IEEE Trans. Electron Devices等頂級期刊和WiPDA等會議上發表科研論文20余篇，其中一作或導師一作學生二作錄用發表論文8篇，多篇論文被JEDEC國際標準引用。授權公開國家發明專利4件。

代表作

[1] L. Tang, H. Jiang, X. Zhong, Y. Huang, N. Xiao, K. Zhao and R. Liao, “Influence of Mismatched Gate Loop Inductance on Threshold Dispersity Evolution and Current Sharing of Parallel SiC MOSFETs,” IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 40, no. 5, pp. 6921-6932, May 2025. (SCI1區，Top)

[2] L. Tang, H. Jiang, R. Liao, Y. Huang, X. Zhong, X. Qi, L. Liu and Q. Zhang, “Impact of the Threshold Dispersity Evolution on the Current Sharing of Parallel SiC MOSFETS,” IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 39, no. 5, pp. 6312-6326, May 2024. (SCI1區，Top)

[3] L. Tang, H. Jiang, X. Zhong, G. Qiu, H. Mao, X. Jiang, X. Qi, C. Du, Q. Peng, L. Liu and L. Ran, “Investigation Into the Third Quadrant Characteristics of Silicon Carbide MOSFET,” IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 38, no. 1, pp. 1155-1165, Jan. 2023. (SCI1區，Top)

[4] L. Tang, H. Jiang, R. Liao, X. Zhong, K. Zhao, N. Xiao and Y. Huang, “Analyzing the Changes in the Third Quadrant Characteristics of SiC MOSFET Induced by Threshold Drift,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 71, no. 4, pp. 2342-2348, April 2024. (SCI2區)

[5] L. Tang, H. Jiang, J. Wei, Q. Hu, X. Zhong and X. Qi, “A comparative study of SiC MOSFETs with and without integrated SBD,” Microelectronics Journal, vol. 128, pp. 0026-2692, Oct. 2022. (SCI3區)

◆科研成果

作為主要研究人員參與國家重點研發計劃課題1項，國網、南網科技項目2項，華為公司橫向項目1項。