5月16日上午，為加強本科生通識教育，電氣學院在云塘校區工科一號樓B212舉辦以“碳化硅MOSFET動態閾值漂移”為主題的通識教育講座。本次講座由學院教師湯磊博士主講，自動化等相關專業學生參加。
湯磊指出，碳化硅（SiC）MOSFET憑借高壓、高溫、高頻特性，已成為電動汽車、光伏系統及新型電源等領域的核心器件，但其動態閾值漂移問題嚴重制約工程化應用。湯磊結合自身在第三代寬禁帶半導體器件可靠性領域的科研成果，系統解析了動態閾值漂移的物理機理、演化規律及優化策略，強調解決該問題對推動新能源產業高質量發展的關鍵意義。
在互動環節，湯磊表示，“功率半導體器件是能源革命的關鍵之一，而動態閾值漂移等可靠性問題恰是技術突破的‘最后一公里’”。此次講座不僅為同學們揭示了碳化硅器件技術的前沿方向，更激發了青年學子投身科研攻關、服務國家戰略的使命擔當。
（文、圖/孫凱、王燦、龔海洋 一審/吳文斌 二審/賈智偉 三審/楊洪明）
電光火時微信公眾號